Pamięci

Układy pamięci ulotnej, nieulotnej, nośniki do przenoszenia danych, a w tym rozwiązania przemysłowe

Nowoczesne pamięci nieulotne

Notatnik konstruktora

Nowoczesne pamięci nieulotne

2017-01-03 12:28:46

Wear leveling, czyli równoważenie zużycia pamięci EEPROM. Przykłady oprogramowania dla AVR

Notatnik konstruktora

Wear leveling, czyli równoważenie zużycia...

2016-11-04 17:48:18

Kompendium przemysłowych dysków Flash

Archiwum nieklikalne

Kompendium przemysłowych dysków Flash

2013-09-01 00:00:00

Pamięć nieulotna F-RAM z interfejsem I2C

Pamięć nieulotna F-RAM z interfejsem I2C

Układ FM24CL04B to 4-kilobitowa (512×8) pamięć nieulotna, ferroelektryczna. Główne zalety pamięci tego typu to ogromna liczba cykli zapisu...

Wtorek, 3 sierpnia 2021

Miniaturowa pamięć EEPROM w 4-wyprowadzeniowej obudowie BGA

Miniaturowa pamięć EEPROM w 4-wyprowadzeniowej...

Pamięci nieulotne serii 24xx są dobrze znane i powszechnie stosowane. Powstało wiele wersji tych układów różniących się pojemnością, typem...

Sobota, 22 maja 2021

Nvidia przejmuje Arm za 40 mld dolarów

Nvidia przejmuje Arm za 40 mld dolarów

Nvidia i Grupa SoftBank ogłosiły zawarcie ostatecznego porozumienia w sprawie przejęcia Arm za kwotę 40 mld dolarów. Połączenie platformy...

Środa, 16 września 2020

Wiodący dostawcy układów scalonych różnią się oczekiwaniami dotyczącymi wzrostu w drugiej połowie roku

Wiodący dostawcy układów scalonych różnią się...

W wyniku pandemii koronawirusa i napiętych stosunków handlowych między USA a Chinami większość dostawców IC w pierwszej połowie 2020 r....

Czwartek, 10 września 2020

Chiński przemysł projektowania układów scalonych wygeneruje w 2020 roku ponad 350 mld CNY

Chiński przemysł projektowania układów scalonych...

Prognozuje się, że chiński przemysł projektowania układów scalonych wygeneruje w 2020 r. ponad 350 mld CNY (51,1 mld USD) sprzedaży, co daje CAGR...

Czwartek, 10 września 2020

W tym roku segmenty pamięci DRAM i NAND ponownie zajmą kluczową pozycję na rynku IC

W tym roku segmenty pamięci DRAM i NAND ponownie...

Według IC Insights, segmenty pamięci DRAM i NAND w tym roku ponownie będą dwoma największymi segmentami układów scalonych, utrzymując te same...

Piątek, 7 sierpnia 2020

Foxconn zainwestuje ponad 8 mld dolarów w projekt nowej fabryki w Qingdao

Foxconn zainwestuje ponad 8 mld dolarów w...

Foxconn Electronics (Hon Hai Precision Industry) zabezpieczył niedawno lokalizację, w której ma powstać zaawansowana instalacja do montażu i...

Czwartek, 30 lipca 2020

Sektor pamięci będzie odpowiadać za 30% światowego rynku półprzewodników

Sektor pamięci będzie odpowiadać za 30%...

Firma analityczna Gartner oszacowała, że w tym roku przemysł chipów odnotuje spadek o 0,9%, chociaż segment pamięci wzrośnie o 13,9%, a układów...

Poniedziałek, 27 kwietnia 2020

Samsung w pełni wdroży proces EUV w kolejnych generacjach DRAM

Samsung w pełni wdroży proces EUV w kolejnych...

Samsung Electronics poinformował, że dostarczył na rynek milion modułów pamięci DRAM DDR4 klasy 10 nm (D1x) wytworzonych w procesie...

Wtorek, 31 marca 2020

Ceny NAND flash mogą w drugiej połowie roku spadać

Ceny NAND flash mogą w drugiej połowie roku spadać

Według DRAMeXchange rozprzestrzenianie się pandemii koronawirusa w pierwszym kwartale 2020 r. znacznie zmniejszyło dostawy większości produktów...

Wtorek, 31 marca 2020

Zabezpiecz swoje dane - karty pamięci uSD/SD Xmore® WORM (Write Once Read Many)

Zabezpiecz swoje dane - karty pamięci uSD/SD...

Firma Glyn wprowadziła do oferty bezpieczne karty pamięci μSD/SD typu WORM (Write Once Read Many). Jest to unikatowy typ kart pamięci,...

Środa, 4 grudnia 2019

Pamięć DDR2 SDRAM w hermetycznej ceramicznej obudowie, odporna na promieniowanie jonizujące

Pamięć DDR2 SDRAM w hermetycznej ceramicznej...

Firma Data Device Corporation zaprezentowała pierwszą pamięć DDR2 SDRAM mogącą pracować w przestrzeni kosmicznej. CCGA Rad-Hard DDR2 SDRAM to...

Czwartek, 19 września 2019

Zamienniki pamięci 8 Gb DDR3L SDRAM firmy Micron

Zamienniki pamięci 8 Gb DDR3L SDRAM firmy Micron

Wraz z zaprzestaniem produkcji popularnych, 8-gigabitowych pamięci single-die DDR3L SDRAM firmy Micron, firma Alliance Memory wprowadza na rynek...

Wtorek, 17 września 2019

Pierwsza na rynku terabajtowa pamięć Flash eUFS

Pierwsza na rynku terabajtowa pamięć Flash eUFS

Firma Samsung opracowała pierwszą na rynku pamięć eUFS 2.1 (embedded Universal Flash Storage) o pojemności 1 TB, oferującą 10-krotnie szybszy...

Środa, 5 czerwca 2019

Micron i SanDisk wprowadzają do sprzedaży karty microSD o pojemności 1TB

Koktajl newsów

Micron i SanDisk wprowadzają do sprzedaży karty...

Pamięci zostały oficjalnie zaprezentowane w Barcelonie, podczas trwających właśnie targów Mobile World Congress 2019. Firmy SanDisk i Micron...

Środa, 6 marca 2019

Trzej topowi producenci pamięci biją rekordy przychodów

Koktajl newsów

Trzej topowi producenci pamięci biją rekordy...

Najwięksi na świecie trzej dostawcy układów pamięci - Samsung Electronics, SK Hynix i Micron Technology - odnotowali, że ich połączone przychody...

Piątek, 21 grudnia 2018

MB85R8M2T - pamięć FRAM 8 Mb

MB85R8M2T - pamięć FRAM 8 Mb

Firma Fujitsu oferuje pamięć FRAM o rekordowej jak dotychczas pojemności 8 Mb. Nowy układ nosi oznaczenie MB85R8M2T. W aplikacji może być...

Piątek, 30 listopada 2018

Pamięci napędzają dobre wyniki Samsunga

Koktajl newsów

Pamięci napędzają dobre wyniki Samsunga

Południowokoreański Samsung Electronics, który w zeszłym roku stał się pierwszym dostawcą półprzewodników na całym świecie, odnotował silny...

Środa, 21 marca 2018

AS4C8M32S - szybka pamięć SDRAM (166 MHz)

AS4C8M32S - szybka pamięć SDRAM (166 MHz)

Firma Alliance Memory wprowadziła do oferty pamięć SDRAM wykonaną w technologii CMOS, o pojemności 256 Mb. Pamięć jest dostępna w...

Poniedziałek, 10 października 2016

E-Prenumerata

Natychmiastowy dostęp do najnowszych treści oraz pełnego archiwum

Elektronika Praktyczna

Elektronika Praktyczna

Elektronika Praktyczna

Zobacz wszystkie artykuły