Pierwsza na rynku terabajtowa pamięć Flash eUFS

Firma Samsung opracowała pierwszą na rynku pamięć eUFS 2.1 (embedded Universal Flash Storage) o pojemności 1 TB, oferującą 10-krotnie szybszy transfer danych od typowych kart microSD. Układ jest produkowany w obudowie o wymiarach 13,0×11,5 mm i bazuje na 16-warstwowej strukturze V-NAND. Umożliwia zapis 260 10-minutowych plików wideo formatu 4K UHD (3840×2160). Zapewnia szybkość odczytu sekwencyjnego sięgającą 1000 MBps, dwukrotnie większą niż w przypadku typowych 2,5-calowych dysków SATA SSD. Szybkość odczytu w trybie random zwiększono o niemal 40% w stosunku do wcześniejszej wersji o pojemności 512 GB. Szybkość zapisu w trybie random, wynosząca do 50000 IOPS jest 500-krotnie większa niż w przypadku kart microSD.