p-kanałowy 20-woltowy MOSFET o rekordowo małej rezystancji RDS(on)

Najnowszy p-kanałowy MOSFET o symbolu Si7157DP, zrealizowany w procesie TrenchFET trzeciej generacji, wykazuje rekordowo małą rezystancję RDS(on), wynoszącą zaledwie 1,6 m przy napięciu sterowania UGS równym –10 V i 2,0 m przy -4,5 V. Tranzystor ma napięcie przebicia –20 V i dopuszczalny prąd drenu 60 A. Jest oferowany w obudowie PowerPAK SO-8 o wymiarach 6,15 mm×5,15 mm. Zaprojektowano go głównie do aplikacji w przełącznikach zasilania laptopów, w których pozwala na ograniczenie do minimum strat mocy.

Vishay
www.vishay.com