Miniaturowe superzłączowe tranzystory MOSFET 600 V w obudowach DFN

Tranzystory te mają napięcie znamionowe 600 V i bardzo małą rezystancję RDS(on) mieszczącą się w zakresie od 0,098 do 0,38 . Są produkowane na zakres prądów drenu od 9,7 do 30 A. Ich przeznaczeniem są szybkie układy impulsowe, gdzie stanowią alternatywę dla znacznie większych odpowiedników produkowanych w konwencjonalnych obudowach D2Pak i DPak.

Zawierają dodatkowe wyprowadzenie Sense do bezpośredniego dołączenia sterownika. Opracowany przez firmę Toshiba proces technologiczny DTMOS-IV zapewnia mniejszą rezystancję RDS(on) od innych podobnych tranzystorów, co z kolei pozwala na zmniejszenie strat mocy w zakresie wysokich temperatur. Kolejną zaletą jest zoptymalizowana wartość CGD, pozwalająca zmniejszyć tendencję do powstawania oscylacji w szybkich układach impulsowych.