Zaloguj
Jest to miniaturowy tranzystor przełączający z kanałem normalnie zamkniętym, zaprojektowany na potrzeby małogabarytowych układów zasilania. W stosunku do odpowiedników krzemowych o tym samym napięciu przebicia charakteryzuje się o połowę mniejszym współczynnikiem FOM (RDS(on)×Qg), decydującym o stratach mocy przy pracy impulsowej.
Jego rezystancja kanału wynosi 13 m?, a ładunek bramki 16 nC. Dzięki zastosowaniu miniaturowej obudowy WLCSP uzyskano bardzo małą indukcyjność pasożytniczą, a w konsekwencji możliwość pracy z dużą częstotliwością przełączania. MB51T008A jest polecany do zastosowań w przełącznikach low-side i high-side przetwornic DC-DC.
Pierwsze wersje próbne tego tranzystora są dostępne od lipca b.r. Firma Fujitsu pracuje obecnie nad dwoma kolejnymi tranzystorami GaN o napięciach przebicia 600 V i 30 V, realizowanymi w oparciu o technologię HEMT.
