Zaloguj
Układ oznaczony symbolem CYRS17B512 jest zamykany w dwóch typach obudów: ceramicznej QML-V o powierzchni 25×25 mm oraz plastikowej TQFP (QML-P) o wymiarach 20×13 mm. Zawiera interfejs QSPI do komunikacji z układami FPGA i mikroprocesorami. Zapewnia niezawodność na poziomie 10 tys. cykli programowania/kasowania oraz 10-letni czas retencji danych. Może pracować w militarnym zakresie temperatury otoczenia od –55 do +125°C.
Pamięć została zrealizowana w technologii SONOS (Silicon-Oxide Nitride-Oxide-Silicon) z przechowywaniem ładunku elektrycznego w „pułapkach” w warstwie azotku krzemu. Zapewnia odporność na całkowitą dawkę napromieniowania (TID) do 300 krad (Si) i impulsy energetyczne SEL co najmniej do 80 MeV·cm²/mg.
