Zaloguj
Są to elementy projektowane z myślą o zastosowaniach w przemysłowych i konsumenckich zasilaczach impulsowych, ładowarkach USB-C, systemach energii odnawialnej i układach napędowych. Mogą stanowić zamienniki wprowadzonych wcześniej na rynek, 600-woltowych tranzystorów CoolGaN G1, pozwalają więc na szybką adaptację we wcześniejszych projektach. W porównaniu zarówno z produktami konkurencyjnymi, jak i z wcześniejszymi odpowiednikami tego samego producenta, omawiane tranzystory wykazują nawet o 50% mniejszą energię magazynowaną w pojemności wyjściowej (Eoss), do 60% mniejszy ładunek dren-źródło (Qoss) i do 60% mniejszy ładunek bramki (Qg). Cechy te zapewniają bardzo dobre parametry w układach impulsowych, pracujących w trybach hard-switching i soft-switching, a w porównaniu z odpowiednikami krzemowymi pozwalają ograniczyć straty mocy o 20%...60%, w zależności od konkretnej aplikacji. To z kolei oznacza dużą gęstość mocy i mniejsze gabaryty urządzeń końcowych.
Nowa oferta obejmuje tranzystory zamykane w obudowach SMD typu ThinPAK 5×6, DFN 8×8, TOLL i TOLT, produkowane na zakres rezystancji RDS(on) 25...270 mΩ i prądów drenu 7,2...70 A (do 120 A w impulsie). Charakteryzują się one ładunkiem bramki już od 1 nC, są odporne na wyładowania ESD do 2 kV (HBM) i mogą pracować w szerokim zakresie temperatury złącza od –55 do +150°C.
