Sterowanie tranzystorami MOSFET niskim napięciem

Tranzystory dużej mocy z reguły steruje się napięciami bramka-źródło rzędu kilkunastu woltów, aby zapewnić jak największe otwarcie kanału. Oczywiście trzeba pamiętać o zabezpieczeniu izolatora podbramkowego przed przebiciem, bo przebity tranzystor jest mało użyteczny, a niekiedy wręcz mało estetyczny... Z tym faktem się nikt nie kłóci, każdy to popiera, możemy się rozejść. Zresztą w urządzeniach dużej mocy z reguły znajdziemy też odpowiednio wysokie napięcie, którym moglibyśmy owe tranzystory wysterować, więc problemu praktycznie nie ma. Sprawa wygląda zupełnie inaczej, kiedy mamy układ zasilany dosłownie kilkoma woltami, a do tego źródło energii stanowi np. bateria. Tranzystory bipolarne, którym wystarczy napięcie poniżej 1 V do prawidłowego wysterowania, będą wówczas nieodpowiednie z racji płynącego (cały czas otwarcia) prądu bazy. Trzeba sięgnąć po ich unipolarnych kolegów. Załóżmy, że w omawianym przykładzie obciążenie będzie podłączane od strony masy, czyli potrzebujemy tranzystora z kanałem typu n. Tranzystory te mają również lepsze parametry (pod kątem...